本月15日，美国商务部终究敲定了台积电（TSMC）在亚利桑那州新建Fab 21项意图金钱，颁发高达66亿美元的直接拨款，以支撑整个园区大约650亿美元的建造开销，其中将兴修三间晶圆厂。整个项目将发明6000多个直接制作工作岗位，以及超越20000个累计的修建工作岗位。

　　据TechNews报导，台积电向美国商务部提交的信息数据显现，最早将于2028年在美国开端出产2nm芯片。依据Fab 21项目制程工艺道路nm制程节点，量产启动时间比起中国台湾的晶圆厂要晚大约三年。

　　Fab 21一期工程初期投入120亿美元，挑选了4/5nm工艺的出产线，已进行了试产，计划在2025年上半年投产；二期工程原计划挑选3nm工艺的出产线年投产，前两期工程加起来的总产能为每月5万片晶圆；新增三期工程将选用2nm或更先进的制程技能，估计2030年之前投产。

　　台积电在2nm制程节点将引进GAA晶体管架构，有望显着下降功耗，进步功能和晶体管密度，带来质的改动。依照台积电之前的说法，台积电只要在大规模量产后，才会考虑迁移到下一个制程节点，并且新一代半导体工艺的研讨会在中国台湾打开，以坚持半导体技能上的领头羊。